IDT推出针对4G无线基站收发器的业界最低功耗低失真混频器
2012-08-15
电子设计工程 2012年17期
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT®公司 (Integrated Device Technology,Inc.;NASDAQ:IDTI)宣布,已推出针对4 G无线基站的业界最低功耗低失真多样化混频器。作为 IDT Zero-DistortionTM系列产品之一,这款新器件可在降低长期演进(LTE)和时分双工(TDD)无线通信架构失真的同时降低功耗。IDT致力于为业界提供一个涵盖从天线到数字信号处理器(DSP)的完整射频卡信号链,新的LTE混频器正是该战略中的重要射频产品。
IDTF1162是一款低功耗、低失真双路2 300~2 700 MHz射频到中频混频器,拥有超线性 (+43 dBm)三阶交调截取点(IP3O),可达到优异的互调抑制,是 4 G无线基站收发器中多载波、多模式蜂窝系统的理想选择。与竞争解决方案相比,IDTF1162改进 IM3失真达 18 dB,同时降低 40%功耗达业界领先(典型值为1 150mW)。这些特性可降低射频卡的散热要求,并允许基础架构提供商采用更高的平均前端增益设置,从而实现更高的信噪比(SNR)。多达0.4 dB的改进接收器 SNR有利于无线通信运营商扩大覆盖面积和提高用户手机外围的可用数据率。
IDTF1162提供上电快速稳定和恒定本地振荡器(LO)输入阻抗。这允许客户在时分双工(TDD)接收器插槽间降低混频器用电,从而进一步降低功耗。此外,这款器件经设计,可在一个100℃的连续封装箱温度中运行,对于在密布远程射频头外壳内的IC来说,是一个重要特性。与IDT射频混频器系列的其他产品类似,IDTF1162与市场中现有的器件引脚相容,可提供令人信服的升级选择。