并符合DDR1/DDR2/DDR3标准要求
2012-03-30
加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS,CA)凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高效率双输出同步降压型DC/DC控制器LTC3876,该器件为 DDR1/DDR2/DDR3以及未来的标准存储器应用产生 VDDQ电源电压、VTT总线终端电压和 VTTR基准电压。第一个通道的输出产生VDDQ,并可在电流高达 25 A时,在 2.5~1 V的范围内设定 VDDQ。第二个通道的输出产生VTT,并提供卓越的负载调节准确度和效率。一个内部LDO提供准确度为±1.2%的VTTR基准。VTT和 VTTR均可用一个内部电阻分压器设定为等于VDDQ电源电压的一半,并在 1.25~0.5 V的范围内工作,以支持所有 DDR标准。VTT电源能提供对称的输出电流能力,在 VTT为 ±25 A(提供 /吸收),而在 VTTR则为 ±50 mA。
LTC3876在4.5~38 V的输入电压范围内工作。开关频率是可编程的,可高达 2 MHz,从而允许使用非常小的外部组件。就噪声敏感型应用而言,LTC3876的开关频率可以同步至一个外部时钟。两个通道均能相移 0°、90°、180°或 270°,以减少输入滤波器组件,并满足具多个 IC的多相应用的需求。LTC3876采用一种接通时间受控的谷值电流模式架构。其他特点包括输出电压跟踪、可编程软启动、RSENSE或DCR电流检测、远端VDDQ取样以及电源良好输出信号。
性能概要:LTC3876
高效率同步工作:效率高达 94%;双输出控制器具高达 25 A的电流能力;宽输入工作电压范围:4.5~38 V;VDDQ输出电压范围为 1~2.5 V;VTT输出电压范围为 0.5~1.25 V;输出电压准确度为 ±1.2%;200~2 MHz的可选固定工作频率;可同步至外部时钟;可编程软启动或跟踪;通道之间可选 0°/90°/180°/270°相移;扁平38引脚5 mm×7 mm QFN和 TSSOP封装。