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创新的模拟放大器,获得QML V认证

2011-04-01

电子设计工程 2011年20期
关键词:抗辐射离子化意法

意法半导体宣布其欧洲抗辐射航天用半导体产品组合新增四款获得QML V官方认证的放大器芯片。新产品的认证进一步巩固了意法半导体抗辐射模拟器件的坚实基础。意法半导体的抗辐射模拟器件具有极强的抗辐射性能,在已发现的恶劣太空环境中能够正常运行,确保设备具有更长的耐用性。

意法半导体以300 krad(Si)的标准抗离子化辐射能力(总离子化剂量测试,简称TID)(包括抗低速率辐射测试)而成为航天工业的半导体器件抗辐射参考标准。无增强型低剂量速率敏感效应(ELDRS-free)芯片让意法半导体成为首家获得抗辐射保证 (RHA)认证的半导体供应商。通过推出无单粒子闩锁(SEL)效应和无单粒子错误中断(SEFI)效应的器件,意法半导体取得了市场上最高的抗离子化辐射能力,将防止重离子引起烧伤的抗辐射技术提高至新的水平。在这些新产品中,意法半导体领先市场的尖端技术还包括单粒子瞬变(SET)保护功能。单粒子瞬变现象是重离子引起的瞬间错误,是航天用模拟器件必须克服的一大挑战。

新产品包括以下四款芯片:

1)RHF484:由4个RHF43B组成的4路运算放大器,可替代工业标准运算放大器芯片,采用Flat-14W封装,2011年通过QML V认证。 2)RHF310和RHF330是超低功耗5V运算放大器,是各种信号调节应用的理想选择。120MHz和1.0GHz两个型号已取得QML V证书。另一款产品550 MHz RHF350预计于2011年第四季度通过认证。 3)意法半导体航天用模拟器件在设计方面特别关注单粒子瞬变效应,并经过了全面的特征化分析,拥有瞬间错误脉冲的振幅低,时间短的特性。4)意法半导体的抗辐射模拟芯片均采用BICMOS制程,功耗极低。在法国国家宇航空研究中心(CNES)的积极支持下,这些器件通过测试后直接进入欧洲产品目录(EPPL)。

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