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CaZrO3掺杂对BaTiO3-Nb2O5-Co3O4系统陶瓷性能的影响

2011-02-20陈小龙蒲永平

陕西科技大学学报 2011年3期
关键词:介电常数粉体电容器

陈小龙, 蒲永平, 赵 新

(陕西科技大学材料科学与工程学院, 陕西 西安 710021)

0 引 言

四方相的BaTiO3(BT)基介质材料因其具有高的介电常数,且不含铅对环境无害而被广泛应用于多层陶瓷电容器(MLCC)介质瓷料.Jungetal[1]and Song[2]研究发现通过添加稀土氧化物取代BaTiO3晶格的A位或者B位,产生“核-壳”结构和内应力,可使BT居里峰移动或者展宽,从而获得高介电常数、温度稳定的陶瓷电容器.通常掺杂BaTiO3稀土氧化物系统为Nb2O5-Co3O4、Nb2O5-ZnO、Bi2O3-TiO2、PbO-TiO2等,这些系统通常使BT具有细晶结构或者“核-壳”结构,带来良好的温度稳定性[3-5],但是BT温度稳定性还是很难满足要求(ΔC/C= ±15% or less).

具有钙钛矿结构的CaZrO3是改性BaTiO3陶瓷一种非常重要的添加剂.Krishnamoorthy[6]等研究发现CaZrO3(5wt%~17wt%)提高了BaTiO3基陶瓷电容器的介电常数和BaTiO3基陶瓷的温度稳定性.黄新友等[7,8]等通过CaZrO3掺杂( Ba,Sr)TiO3(BST)发现,Ca2+离子取代(Ba,Sr)位,对晶轴率(c/a)影响不大,故居里温度移动不明显,有展宽容温曲线的作用.而Zr4+离子进入(Ti,Zr)位导致固溶体的轴率(c/a)降低,能使居里峰向低温方向移动,导致(Ba,Sr)TiO3陶瓷介电常数增加,同时由于Zr4+离子进入Ti4+离子位置使得晶格紧密稳定,降低了电导损耗和极化损耗,使材料的介质损耗降低.张树人[9,10]等通过CaZrO3掺杂BT- Bi0.5Na0.5TiO3(BNT),发现CaZrO3掺杂BT-BNT系统陶瓷的介电常数增大,介电损耗降低,介温曲线平坦.

CaZrO3作为一种压峰和移峰的添加剂,近年来其对BT、BST等的影响已有不少报道,但 CaZrO3掺杂BNC系统陶瓷及对其性能和结构影响的研究尚未见报道.本文研究了CaZrO3掺杂量对BNC系统陶瓷性能和结构的影响,并探讨了其掺杂改性的机制,为研制Y5P特性温度稳定和高介电容器陶瓷材料提供了依据.

1 实验部分

以CaCO3和ZrO2为原料,按照CaCO3∶ZrO2=1∶1,称料混合后在有机行星磨中以1 000 r/min混磨8 h,研磨介质为蒸馏水,干燥后预压柱状,在高温电阻炉中、1 350 ℃预烧4 h,预合成CaZrO3粉体.图1中X-射线衍射(XRD)分析表明合成了纯相CaZrO3粉体.然后按表1中的成分,称取一定量的BaTiO3、Nb2O5、Co3O4、La2O3、SrTiO3和CaZrO3.按照传统的氧化物混合工艺,称料混合后在有机行星磨中以1 000 r/min混磨4 h,研磨介质为蒸馏水.在电热恒温鼓风干燥箱中干燥后造粒,干压成φ14 mm×1.8 mm的圆片,在高温箱式电阻炉中按一定温度(1 320~1 360 ℃)烧成.

表1BaTiO3-Nb2O3-Co3O4电容器陶瓷的配方(摩尔百分数)

序号成分BaTiO3Nb2O5Co3O4La2O3SrTiO3CaZrO3192.80.760.20.230.483.85291.920.750.20.230.484.76391.050.750.190.230.475.66490.20.740.190.220.476.54589.360.730.190.220.467.41

烧成的陶瓷试样被银电极,通过日本ALFA MIRAGE电子密度天平测试其密度,采用Aligent 4980A电容测量分选仪测定1 kHz、1 Vrms下的介温谱和室温下的介频谱.

图1 预合成CaZrO3粉体的XRD谱图

2 结果与讨论

2.1 预合成CaZrO3粉体的XRD图

图1为预合成CaZrO3粉体的XRD图,从图1中可以看出,实验制备的粉体衍射峰清晰尖锐,未见有其他物相的杂峰出现,合成了纯的CaZrO3粉体.

2.2 CaZrO3掺杂量对BNC陶瓷致密度的影响

图2为烧结温度对CaZrO3掺杂BNC系统陶瓷密度和直径收缩率的影响.从图1中可以看出,CaZrO3掺杂BNC陶瓷试样随着烧结温度的升高,收缩率依次增加,密度逐渐增大.杨林波、张树人[9,10]等人研究发现,随着CaZrO3在BaTiO3陶瓷中掺杂量的增加,晶粒尺寸减小,晶粒变得更致密、均匀,所以其直径收缩率和密度增大.

2.3 CaZrO3掺杂量对BNC陶瓷介电性能的影响

黄新友[7,8]等人研究发现,CaZrO3掺杂(Ba,Sr)TiO3陶瓷,随着CaZrO3掺杂量的增加,不仅存在(Ba,Sr)TiO3主晶相,还存在CaZrO3等其他相,杂相的存在使介电常数降低.而BaTiO3陶瓷中CaZrO3加入量越多,材料的介电常数降低得越多,这是由于CaZrO3为非铁电相,其室温介电常数为28,远小于BaTiO3主晶相陶瓷的介电常数,大量CaZrO3非铁电相的存在使铁电相减少,导致介电常数的降低.张树人[9,10]等人也研究发现BaTiO3和CaZrO3的固溶度有限,随着CaZrO3掺杂量的增加, 达到了其固溶度的上限值,最终以CaZr4O9的形式析出,导致了陶瓷的介电常数下降;随着CaZrO3掺杂量的增加,晶粒尺寸减小,晶粒变得更致密、均匀,故损耗不断下降.同时由于Zr4+离子取代Ti4+离子使得晶格紧密稳定,降低了电导损耗和极化损耗,使材料的介质损耗降低.

图2 烧结温度对CaZrO3掺杂BNC系统陶瓷密度和直径收缩率的影响

图3 1 340 ℃下烧结的不同掺杂浓度CaZrO3对BNC陶瓷介温谱和损耗的影响

2.4 烧结温度对BNC陶瓷介电性能的影响

图4为不同温度下烧结的掺杂3.85 mol% CaZrO3的BNC介温图和损耗图,从图4(a)可以看出,当CaZrO3掺杂量一定时,随着烧结温度的升高,介电常数呈现增大的趋势.从图4(b)可知,当CaZrO3掺杂量一定时,BNC系统陶瓷的在1 340 ℃有最低的介电损耗,说明合适的烧结温度使陶瓷较致密,缺陷减少,从而陶瓷的介电损耗降低.

图4 不同烧结温度对掺杂3.85 mol% CaZrO3的BNC介电常数和损耗的影响

3 结 论

(1)所制备的CaZrO3掺杂BNC系统陶瓷,随着CaZrO3含量的增加,陶瓷的介电常数下降,介电损耗降低,介温曲线平坦.分析认为,主要是由Ca2+离子、Zr4+离子分别取代Ba2+离子和Ti4+离子,导致了陶瓷晶格收缩.

(2)掺杂3.85 mol% CaZrO3的BNC陶瓷随着烧结温度的升高(1 320 ℃,1 340 ℃,1 360 ℃),BNC系统陶瓷致密度和介电常数逐渐增大,损耗则呈现降低的趋势.提高烧结温度有利于SrTiO3掺杂BNC系统陶瓷介电常数的提高和损耗的降低.

参考文献

[1] Jung Y S, Na E S, Paik U,etal. A study on the phase transition and characteristics of rare earth elements-doped BaTiO3[J]. Mater Res Bull,2002,37:1 633-1 640.

[2] Song Y H, Hwang J H, Han Y H. Effects of Y2O3on temperature stability of acceptor-doped BaTiO3[J]. Journal of Physics D: Applied Physics,2005,(44):1 310-1 313.

[3] Sea-Fue Wang .Dielectric properties of fine-grained barium titanate based X7R materials[J]. Journal of the American Ceramic Society,1999,82(10):2 677-2 682.

[4] Hennings D, Rosenstein G. Temperature-stable dielectrics based on chemically inhomogeneous BaTiO3[J]. American Ceramic Society,1984,(67):249-254.

[5] D.F.K.Hennings, B.S. Schreinemacher. Temperature-stable dielectric materials in the system BaTiO3-Nb2O5-Co3O4[J]. Journal of the European Ceramic Society,1994,14(2):463-471.

[6] Krishnamoorthy P R, Ramaswamy P, Narayana B H. CaZrO3additives to enhance capacitance properties in BaTiO3ceramic capacitors[J]. Journal of Materials Science,1992,(3):176-180.

[7] 黄新友,李 军,高春华,等. CaZrO3掺杂对(Ba,Sr)TiO3铁电电容器陶瓷性能的影响[J]. 硅酸盐学报,2005,33(3):402-406.

[8] 黄新友,高春华. 工业化(Ba,Sr,Ca)(Ti,Zr)O3基电容器陶瓷的研究[J]. 仪器仪表学报,2003,24(1):45-48.

[9] 杨林波,张树人,唐 斌,等. CaZrO3掺杂对耐高温陶瓷电容介电性能的影响[J].压电与声光,2008,30(4):443-445.

[10] TANG Bin,ZHANG ShuRen, YUAN Ying,etal.Influence of CaZrO3on dielectric properties and microstructures of BaTiO3-based X8R ceramics[J]. Science in China Series E: Technological Sciences,2009,51(9):1 451-1 456.

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