中芯国际和Virage Logic拓展伙伴关系至40nm低漏电工艺

7月22日，Virage Logic公司和中芯国际集成电路有限公司共同宣布其长期合作伙伴关系扩展到40nm的低漏电工艺技术。Virage Logic公司和中芯国际从最初的130nm工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的 IP，涵盖的工艺广泛还包含90nm以及65nm。根据协议条款，系统级芯片（SoC）设计人员将能够使用Virage Logic开发的，基于中芯国际40nm低漏电工艺的 SiWare™ 存储器编译器、SiWare™逻辑库、SiPro™ MIPI硅知识产权（IP）和 Intelli™ DDR IP。除此之外这方面的一个新协议的关键将提供中芯国际Virage Logic先进的STAR™记忆系统和STAR™量率加速器工具，以加速中芯国际关于40nm低漏电工艺记忆的技术开发，测试以及产量的提升。

“作为中国首屈一指的代工厂，我们与 Virage Logic公司拓展合作伙伴关系将使中芯国际能够提供更多业界领先的40nm低漏电工艺的半导体 IP，这不仅能满足来自中国本地的系统级芯片开发人员的需要，亦将助益我们开发全球半导体市场。”中芯国际资深副总裁兼首席商务官季克非表示，“中芯国际正采取积极措施提升客户更先进的技术。与Virage Logic的合作关系可为我们的客户提供将来迁移到40nm的一个相对容易的途径。”

（本刊通讯员）