以LFPAK为封装的汽车功率MOSFET系列
2010-04-05
电子设计工程 2010年6期
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)发布了以LFPAK为封装(一种紧凑型热增强无损耗的封装)全系列汽车功率MOSFET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验,新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)被认为是高度可靠的功率SO-8封装。LFPAK封装针对高密度汽车应用进行了优化,其面积比DPAK封装减小了46%而具有与DPAK封装近似的热性能。
随着对电子应用不断增长的消费需求,汽车OEM厂商面临在汽车的有限空间中引入新功能的挑战,同时要保持燃油效率、电子稳定性和可靠性。LFPAK是恩智浦针对汽车应用推出的创新解决方案,具有功率器件封装可靠、散热性能高,尺寸大幅缩小等优点。封装设计经过优化,能为汽车OEM厂商带来最佳的散热和电器性能,低成本和高可靠性。它克服了SO8的散热限制,使其热阻与DPAK这样更大的功率封装相当。
恩智浦LFPAK封装利用铜片设计降低了封装的电阻和电感,从而减少了RDS(on)和MOSFET的开关损耗。LFPAK为设计者提供了具有与DPAK相似的电气和散热性能,但面积减小了46%的MOSFET。这有助于设计比以前更小的解决方案,或者,在无需增大模块尺寸或降低可靠性的前提下,通过为现有设计增加新特性将功率密度提高46%。恩智浦的全系列LFPAK产品允许设计者根据应用需求挑选器件,同时根据需求的变化改变自己的选择。
相对于市场上所有符合汽车工业标准的功率SO-8封装MOSFET,恩智浦的LFPAK系列产品在5个电压级别上提供最佳的性能和可靠性。