温度自适应性ＤＲＡＭ刷新时钟电路

曾　锋　任明明　易茂祥　张昭勇

摘要：动态存储器(DRAM)需要通过刷新来保持内部的数据。为降低存储器刷新过程的电路功耗，设计一种具有温度自适应特性的刷新控制电路。根据二极管的电流在闽值电压附近的温度特性，利用电容充放电的结构，提出一种具有温度自适应特性的刷新时钟电路，使存储器刷新频率随电路温度变化而变化，其趋势符合动态存储器的刷新要求，仿真实验结果表明，新的电路在保证DRAM信息得到及时刷新的前提下，有效地降低了其刷新过程中的功耗。

关键词：刷新；动态存储器；温度适应性；功耗

中图分类号：TN402文献标识码：A文章编号：1004－373X(2009)15－181－03