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磁性隧道结的隧穿磁电阻效应及其研究进展

2009-09-25李彦波魏福林

物理 2009年6期
关键词:偏置磁性绝缘

李彦波 魏福林 杨 正

摘要文章概括地介绍了磁性隧道结(MTJs)的隧穿磁电阻(TMR)效应的产生机理和特点,主要用途和研究背景以及最近几年的研究进展和现状,对用Al2O3和MgO做绝缘势垒层的MTJs进行了对比,指出用MgO做绝缘势垒层的MTJs的优点,文章还阐明了交换偏置自旋阀(EB-sV)型删s的问题和不足,以及新兴的赝自旋阀(PSV)型MTJs的优势,文章最后总结了用于MTJs的各种铁磁层和绝缘势垒层材料,并对TMR材料今后的研究和开发作了展望。

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