“国家自然科学基金重大项目—纳米器件辐射效应机理及模拟试验关键技术”专题
- 重离子在SiC,GaN,Ga2O3宽禁带半导体材料及器件中的辐照效应研究
- 28 nm体硅工艺组合逻辑电路单粒子瞬态脉冲宽度研究
- 28 nm工艺触发器抗单粒子翻转版图加固技术
- 28 nm MOSFET器件的单粒子效应
- 30 nm PMOS器件总剂量辐照实验与仿真
- 采用滤波结构的28 nm触发器抗单粒子翻转研究
- 一种28 nm工艺下抗单粒子翻转SRAM的12T存储单元设计
- 驱动能力及结构特征影响反相器单粒子效应敏感性的仿真研究
- 基于10 keV X射线的总剂量效应实验技术实现与应用
- 三模冗余与门尺寸调整在不同工艺中的加固特征比较
- 基于电荷泵技术的栅控横向晶体管在氢氛围中的辐照损伤增强机制
- 纳米MOS器件场氧化层和栅氧化层电离总剂量效应仿真
- 40 nm NMOS器件沟道热载流子效应和电离总剂量效应关联分析
- 用于离子诱导光子发射显微镜的闪烁体材料