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2016年4期
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宽禁带功率电子器件及其应用专辑 (2016年04期)
第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
基于新型1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究
选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究
适用于电动汽车的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究
改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型
1 200 V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究
SiC MOSFET特性及其应用的关键技术分析
基于碳化硅功率器件的宽输入电压双管正激式直流电源研究
SiC MOSFET在航空静止变流器中的应用研究
基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因数校正器
基于GaN FETs的高频半桥谐振变换器分析与设计
基于GaN器件Buck电路死区功耗分析与优化
基于GaN器件LLC谐振变换器的平面变压器优化设计
基于封装集成技术的高功率密度碳化硅单相逆变器
共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究
宽禁带器件在电动汽车中的研究和应用
耐高温变换器研究进展及综述
高压SiC器件在FREEDM系统中的应用
双馈风电机组并网次同步振荡研究
宽禁带功率电子器件及其应用专辑特邀主编述评